電子デバイス工学特論２（Physics and Technology of Semiconductor Electron Devices,II）[1204]

＜授業のねらい及び具体的な到達目標＞

学部で学んだ半導体物理、デバイスについての基本的事項を復習するとともに、主にトランジスタを題材として、そのデバイス物理について理解することをねらいとする。後期特論２においては、前期特論１で学んだp-n接合、半導体-金属接合、半導体-絶縁膜接合の三要素によりトランジスタ（バイポーラ、FET）がどのように構成されているか、また動作時どのような現象が起こっているかを理解することを目的とする。

＜授業計画及び準備学習＞

第1,2週、前期特論１の内容の復習
第3-5週、バイポーラトランジスタ
第6,7週、MESFET
第8-12週、MOSFET
第13週、HEMT etc
第14週、期末試験

＜成績評価方法及び水準＞

出席、レポート、期末試験を総合的に評価して行う。

＜教科書＞

「半導体デバイス」、松波弘之、吉本昌弘著（series 電気・電子・情報系 7）、共立出版

＜参考書＞

「高校数学でわかる半導体の原理」、竹内淳著、ブルーバックス
「半導体物1、2」、犬石嘉雄、浜川圭弘、白藤純嗣著（基礎物理科学シリーズ 8、9）、朝倉書店
「半導体の物理」、御子柴宣夫著（半導体工学シリーズ 2）、培風館
S. M. Sze and K. K. Ng, "Physics of Semiconductor Devices", Wiley-Interscience
U. K. Mishra and J. Singh, "Semiconductor Device Physics and Design", Springer

＜オフィスアワー＞

E-mail(mhigashi@nict.go.jp)で質問を随時受け付ける。

＜学生へのメッセージ＞

半導体デバイス物理は基本難しくはありませんが、いろいろな要素が複雑にからみ合っています。そのため、基本的な事柄を正しく理解していることが必須となります。この授業では、半導体物理に関する基本的な事柄の確認、理解を最重点に授業いたします。具体的には、正しくバンドダイアグラムを描き、それを元に起こっている現象を理解し、他人に説明することができる能力を習得することを目指します。