電子デバイス工学特論１（Physics and Technology of Semiconductor Electron Devices,I）[1207]

＜授業のねらい及び具体的な到達目標＞

学部で学んだ半導体物理、デバイスについての基本的事項を復習するとともに、主にトランジスタを題材として、そのデバイス物理を理解することをねらいとする。前期特論１においては、半導体物理の基本を復習し、バンドダイアグラムに親しみ、デバイスを構成する三要素（p-n接合、半導体-金属接合、半導体-絶縁膜接合）について正しく理解することを目的とする。

＜授業計画及び準備学習＞

第1週、イントロダクション
第2,3週、半導体電子構造（半導体バンド構造、状態密度、フェルミディラック分布）
第4,5週、バンドダイアグラム（ポアソン方程式、電荷中性条件）
第6,7週、半導体中電気伝導（拡散、ドリフト電流）
第8-11週、p-n接合
第12,13週、半導体-金属接合、半導体-絶縁膜接合
第14週、期末試験

＜成績評価方法及び水準＞

出席、レポート、期末試験を総合的に評価して行う。

＜教科書＞

「半導体デバイス」、松波弘之、吉本昌弘著（series 電気・電子・情報系 7）、共立出版

＜参考書＞

「高校数学でわかる半導体の原理」、竹内淳著、ブルーバックス
「半導体物性１、２」、犬石嘉雄、浜川圭弘、白藤純嗣著（基礎物理科学シリーズ 8、9）、朝倉書店
「半導体の物理」、御子柴宣夫著（半導体工学シリーズ 2）、培風館
S. M. Sze and K. K. Ng, "Physics of Semiconductor Devices", Wiley-Interscience
U. K. Mishra and J. Singh, "Semiconductor Device Physics and Design", Springer

＜オフィスアワー＞

E-mail(mhigashi@nict.go.jp)でアポイントメントをとること。

＜学生へのメッセージ＞

半導体デバイス物理は基本難しくはありませんが、いろいろな要素が複雑にからみ合っています。そのため、基本的な事柄を正しく理解していることが必須となります。この授業では、半導体物理に関する基本的な事柄の確認、理解を最重点に授業いたします。具体的には、正しくバンドダイアグラムを描き、それを元に起こっている現象を理解し、他人に説明することができる能力を習得することを目指します。

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