☆半導体光デバイス特論（Advanced Semiconductor Photonic Devices）[3105]

＜授業のねらい及び具体的な到達目標＞

半導体光デバイス特論では、光デバイス動作原理を理解する上で必要となる「量子力学の基礎的事項」および「半導体における光の放出・吸収などの現象論的事項」に関して理解するともに、光デバイスと接続することにより光を導波させることができる「光導波路の基本的性質」について理解する。

＜授業計画及び準備学習＞

1) 光エレクトロニクスの背景
2) 半導体光デバイスと波長帯
3) 量子力学の基礎：粒子と波動の二面性，波動関数，期待値と跡
4) 量子力学の基礎：シュレディンガーの波動方程式
5) 半導体による発光と吸収：電子遷移，自然放出と誘導放出
6) 半導体による発光と吸収：電子寿命
7) ヘテロ接合：ヘテロ構造とキャリアの注入
8) ヘテロ接合：電圧・電流特性
9) 化合物半導体：種類と特性
10) 化合物半導体：バンドギャップ，屈折率，吸収係数
11) 誘電体光導波路：電磁界の波動方程式
12) 誘電体光導波路：導波モード，決定方程式
13) 誘電体光導波路：伝播定数，等価屈折率，閉じ込め係数

＜成績評価方法及び水準＞

レポートおよび授業中に与える課題により評価する。

このページの著作権は学校法人工学院大学が有しています。 Copyright(c)2013 Kogakuin University. All Rights Reserved.