ナノエレクトロニクス工学特論２（Nano-Electronics EngineeringII）[3610]

＜授業のねらい及び具体的な達成目標＞

電子デバイスの開発・生産において、微細加工方法や局所解析手法の果たす役割は大きい。なかでも、ナノメートルサイズに収束可能なイオンビーム、電子ビームは近年のデバイスのナノスケール化に伴い更なる高性能化が要求される分野である。本講義ではナノビームの発生・制御の原理、ナノ加工・計測における利用方法について習得する。

＜授業計画及び準備学習＞

1) イオンビームスパッタリングの物理　（カスケード、ミキシング、スパッタリング理論）
2) イオンビーム光学I　（イオンの発生原理（デュオプラズマトロン、液体金属イオン源））
3) イオンビーム光学II 　（静電レンズと収差理論、ビーム偏向）
4) イオンビーム光学III （短パルス化）
5) 二次粒子の検出原理　（二次電子、二次イオン）
6) ナノイオンビーム装置の実際 （FIB加工装置、深さ方向分析器）
7) ナノイオンビームの応用　（微細加工、注入、堆積）
8) 高輝度電子ビーム源　（電子の放出原理（熱電子、電界放出））
9) 電子ビーム光学　（磁界レンズと収差理論）
10) 固体内での電子の振る舞いと二次粒子の発生
11) 電子ビーム装置と応用　（SEM、描画、測長）
12) これからのイオンビーム技術　
13) これからの電子ビーム技術
14,15) 総論

＜成績評価方法及び水準＞

レポート試験とする。

＜教科書＞

指定しない（必要に応じてプリントを配付）

＜参考書＞

荷電粒子ビーム工学（石川順三著、コロナ社）

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