電子デバイス工学特論１（Physics and Technology of Semiconductor Electron Devices,I）[3407]

＜授業のねらい及び具体的な達成目標＞

学部で学んだMOS構造、CCDについて、S.M.Szeの英語の原本を使って、より深く大学院用に学ぶ。単に受け身の講義を受けるのではなく、自分で英語の教科書を読み、良く理解できないところを、他の学生と一緒に勉強しながら、判らないところを教官に教えて貰う、と言う形で授業を進める。まず授業時間の3分の1は各人に英語の教科書を読んでもらい、発音の修正と訳のチェックをする。残りの時間はその節の内容について議論をする。

＜授業計画及び準備学習＞

第1週、復習−I；学部で学んだ半導体デバイスの復習をすると共に、
　　どの程度覚えているかチェックする。
第2週、復習−II；学部で学んだバイポーラトランジスタ、
　　MOSFETの動作原理、作製法の復習。
第3週、 6.1.1, The Ideal MOS Diode ; Definition of an ideal MOS.
第4週、 Accumulation, Depletion, Inversion.
第5週、 The Surface Depletion Region.
第6週、 Poisson’s equation, Field and Potential Distribution-I.
第7週、 Poisson’s equation, Field and Potential Distribution-II.
第8週、 Ideal MOS Curves.
第9週、 Threshold Voltage.
第10週、6.1.2, The SiO2-Si MOS diode; The Work Function Difference.
第11週、Interface Traps and Oxide Charges.
第12週、Flat-band Voltage.
第13週、6.1.3, The Charge Coupled Devices -I.
第14週、The Charge Coupled Devices -II.

＜成績評価方法及び水準＞

各回のゼミの出来と出席点、および期末における英文和訳とデバイス物理に関する試験結果を総合して判断する。

＜教科書＞

章のコピーを渡すので、買う必要はない。
Semiconductor Devices; Physics and Technology, 2nd Edition
　　by S.M.Sze, John Willey & Sons, Inc. 2002. 第6章

＜参考書＞

半導体デバイス；基礎理論とプロセス技術第2版、S.M.ジィー著、南日、川辺、長谷川訳、産業図書、2004年3月

＜オフィスアワー＞

授業の前後、教室または川西研究室で。

＜学生へのメッセージ＞

　現在の世の中では、英語の文献を読んで中身を理解できることは、技術者にとって必要不可欠な事である。S.M.ジィーは台湾生まれで、スタンフォード大で学位を取り、長くベル電話研究所に勤めていた。その為彼の英語はとても分かり易い英語である。この教科書をすらすら読めるようでないと、とても一般の技術論文、資料は読めない。
　英語は日々の努力が大切である。授業では必ず辞書を引いて予習をしてくること。

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