電子デバイス工学特論１（Physics and Technology of Semiconductor Electron Devices,I）[3407]

＜授業のねらい及び具体的な達成目標＞

　学部で学んだMOS構造、CCDについて、S.M.Szeの英語の原本を使って、より深く大学院用に学ぶ。単に受け身の講義を受けるのではなく、自分で英語の教科書を読み、良く理解できないところを、他の学生と一緒に勉強しながら、判らないところを教官に教えて貰う、と言う形で授業を進める。まず授業時間の3分の1は各人に英語の教科書を読んでもらい、発音の修正と訳のチェックをする。残りの時間はその節の内容について議論をする。

＜授業計画＞

第1週. 復習−I；学部で学んだ半導体デバイスの復習をすると共に、
　　どの程度覚えているかチェックする。
第2週. 復習−II；学部で学んだバイポーラトランジスタ、
　　MOSFETの動作原理、作製法の復習。
第3週. 6.1.1, The Ideal MOS Diode ; Definition of an ideal MOS
第4週. Accumulation, Depletion, Inversion.
第5週. The Surface Depletion Region
第6週. Poisson’s equation, Field and Potential Distribution
第7週. Ideal MOS Curves
第8週. Threshold Voltage
第9週. 6.1.2, The SiO2-Si MOS diode; The Work Function Difference
第10週．Interface Traps and Oxide Charges
第11週．Flat-band Voltage.
第12週．6.1.3, The Charge Coupled Devices - I.
第13週. The Charge Coupled Devices - I.I

＜成績評価方法及び水準＞

各回のゼミの出来と出席点、および期末における簡単な英文和訳の試験結果を総合して判断する。

＜教科書＞

章のコピーを渡すので、買う必要はない。
Semiconductor Devices; Physics and Technology, 2nd Edition
　　by S.M.Sze, John Willey & Sons, Inc. 2002

このページの著作権は学校法人工学院大学が有しています。 Copyright(c)2008 Kogakuin University. All Rights Reserved.