電子デバイス工学特論２（Physics and Technology of Semiconductor Electron Devices,II）[3306]

＜授業のねらい及び具体的な達成目標＞

　集積回路の基本素子であるMOSFET、ロジック回路の基本素子であるCMOS、USB SD Cardなどに使われる不揮発性メモリなどについて、 S.M.Szeの英語の原本を使って、より深く大学院用に学ぶ。単に受け身の講義を受けるのではなく、自分で英語の教科書を読み、良く理解できないところを、他の学生と一緒に勉強しながら、判らないところを教官に教えて貰う、と言う形で授業を進める。まず授業時間の3分の1は各人に英語の教科書を読んでもらい、発音の修正と訳のチェックをする。残りの時間はその節の内容について議論をする。

＜授業計画＞

第1週. 6.2 MOSFET Fundamentals, 6.2.1 Basic Characteristics
第2週. Threshold Voltage, Transconductance
第3週. The Subthreshold Region
第4週. 6.2.2 Types of MOSFET
第5週. Threshold Voltage Control
第6週. 6.3.1 Short Channel Effects
第7週. 6.3.2 Scaling Rule
第8週. 6.4.1 The CMOS Inverter
第9週．6.5.1 The Thin Film Transistor (TFT)
第10週．6.5.2 Silicon on Insulator (SOI) Devises
第11週．6.6.1 DRAM, SRAM.
第12週．6.6.3 Nonvolatile Memory
第13週．6.7 The Power MOSFET

＜成績評価方法及び水準＞

各回のゼミの出来と出席点、および期末での簡単な英文和訳の試験結果を総合して判断する。

＜教科書＞

章のコピーを渡すので、買う必要はない。
Semiconductor Devices; Physics and Technology, 2nd Edition
　　by S.M.Sze, John Willey & Sons, Inc. 2002

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