☆電子デバイス工学特論１（Physics and Technology of Semiconductor Electron Devices,I）[3405]

＜授業のねらい及び具体的な達成目標＞

　学部で学んだ半導体デバイスI、半導体プロセス技術をより深く大学院用に学ぶ。単に受け身の講義を受けるのではなく、自分で英語の教科書を読み、良く理解できないところを、他の学生と一緒に勉強しながら、判らないところを教官に教えて貰う、と言う形で授業を進める。各時間の担当者を決めて、まず授業時間の3分の1は英語の発音と直訳を直してもらう。残りの時間はその章の内容を説明する。
　内容的には、学部で学んだMOSFET、その作製方法をより深く学ぶ。特に各人の卒論に関係するような節を担当するように配慮する。

＜授業計画＞

1.Introduction
　学部で学んだ半導体デバイスの復習をすると共に、どの程度覚えているかチェックする。
2.学部で学んだバイポーラトランジスタ、MOSFETの動作原理、作製法の復習。
3.SDP&T; 2.2, Basic Crystal Structure.
4.SDP&T; 10.1-2, Si Crystal Growth from the Melt.
5.SDP&T; 10.3, GaAs Crystal Growth Techniques.
6.SDP&T; 10.4, Material Characterization.
7.SDP&T; 10.5, Epitaxial Growth Technique:
　　　　　　10.5.1, Chemical Vapor Deposition
8.SDP&T; 10.5, Epitaxial Growth Technique:
　　　　　　10.5.2, Chemical Vapor Deposition
9.SDP&T; Appendix K, Basic Kinetic Theory of Gases.
10．SDP&T; 10.6, Structure and Defects in Epitaxial Layers.
11．SDP&T; 6.1，The MOS Diode:
　　　　　　Ideal MOS curves, 6.1.2, The SiO2-Si MOS Diode.
12．SDP&T; 6.3, MOSFET Scaling:
　　　　　　6.3.1, Short channel effects, 6.4.1, CMOS inverter.
13．SDP&T; 6.5, MOSFET on insulator:
　　　　　　6.5.1, The Thin Film Transistor (TFT), 6.5.2, Si on Insulator (SOI).
注：SDP&T; Semiconductor Devices; Physics and Technology, 2nd Edition
　　　　　　　by S.M.Sze, John Willey & Sons, Inc. 2002

＜成績評価方法及び水準＞

各回のゼミの出来と出席点を考慮して判断する。

＜教科書＞

各章のコピーを渡すので、買う必要はない。
Semiconductor Devices; Physics and Technology, 2nd Edition
　　by S.M.Sze, John Willey & Sons, Inc. 2002

＜参考書＞

Physics of Semiconductor Devices, 2nd Edition
　　by S.M.Sze, John Willey & Sons, Inc. 1981
Modern Semiconductor Device Physics,
　　Edited by S.M.Sze, John Willey & Sons, Inc. 1998

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