電子デバイス工学特論２（Physics and Technology of Semiconductor Electron Devices,II）[3309]

＜授業のねらい及び具体的な達成目標＞

　学部で学んだ半導体デバイスIIをより深く大学院用に学ぶ。単に受け身の講義を受けるのではなく、自分で大学院用の英語の教科書を読み、良く理解できないところを、他の学生と一緒に勉強しながら、判らないところを教官に教えて貰う、と言う形で授業を進める。
　電子デバイス工学特論Iに引き続き、ディジカメ等に使われているCCD、不揮発性メモリ（Flash memory）等について、また、マイクロ波通信、携帯電話等に使われている、ヘテロ接合を用いたマイクロ波デバイス、HFET (HEMT)、HBTなどについて学ぶ。

＜授業計画＞

1．PDS; 7.4, CCD (Charge Coupled Device)-I
　　　7.4.1, Charge storage,
2．PDS; 7.4, CCD (Charge Coupled Device)-II
　　　7.4.2, Basic CCD structure
3．PDS; 7.4, CCD (Charge Coupled Device)-III
　　　7.4.3, Charge transfer and frequency response
4．PDS; 7.4, CCD (Charge Coupled Device)-IV
　　　7.4.4, Buried channel CCD
5. PSD 8.6, Nonvolatile Memory Devices〜
　　　8.6.1, Floating Gate Devices
6．Flash memory I,
7．Flash memory II,
8．PSD; 6. JFET and MESFET
　　　6.3.4, Two Dimensional Considerations
9．PSD; 6. JFET and MESFET
　　　6.4, Microwave Performance
10. MSDP; 2. Compound Semiconductor FET
　　　2.1.1, Principle of FET Operation, 2.1.2, Types of FETs,
11．MSDP; 2.3, GaAs MESFETs
　　　2.3.1, MESFET Fundamentals
12．MSDP; 2.4, Heterostructure FET (HFET)
　　　Dingle et. al.; Modulation Doping
13．MSDP; 2.4, Heterostructure FET (HFET)
　　　2.4.1, HFET Fundamentals
注：PSD; Physics of Semiconductor Devices, 2nd Edition
　　　　　by S.M.Sze, John Willey & Sons, Inc. 1981
　　MSDP; Modern Semiconductor Device Physics,
　　　　　Edited by S.M.Sze, John Willey & Sons, Inc. 1998

＜成績評価方法及び水準＞

各回のゼミの出来と出席点を考慮して判断する。

＜教科書＞

各章のコピーを渡すので、買う必要はない。
Physics of Semiconductor Devices, 2nd Edition
　　by S.M.Sze, John Willey & Sons, Inc. 1981
Modern Semiconductor Device Physics,
　　Edited by S.M.Sze, John Willey & Sons, Inc. 1998

＜参考書＞

Semiconductor Devices; Physics and Technology, 2nd Edition
　　by S.M.Sze, John Willey & Sons, Inc. 2002

＜オフィスアワー＞

火〜金曜日　八王子5号館703号室　11時から17時

＜学生へのメッセージ＞

英語は何処に就職しても必要である。技術英語はやさしいので、サッと読んで内容を出来るようになること。

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