△半導体工学ＩＩ（Semiconductor Engineering II）[4H38]

＜学位授与の方針＞

○	1. 基礎知識の習得
◎	2. 専門分野知識の習得
○	3. 汎用的問題解決技能
	4. 道徳的態度と社会性

＜授業のねらい＞

半導体工学�Tで学んだ半導体の基礎事項に加え、バイポーラ・ユニポーラトランジスタを含めた電子基礎デバイスの動作原理を学ぶ。さらに、それらを踏まえ、メモリ・光デバイスなどの様々な電子応用デバイスについての知識を深める。
（1）トランジスタの動作原理を理解する。
（2）メモリ・光デバイスなどの様々な電子応用デバイスについての知識を深める。

＜受講にあたっての前提条件＞

本科目は、【III群】専門科目の導入科目となる。

＜具体的な到達目標＞

半導体工学�Tで学んだ半導体の基礎事項に加え、バイポーラ・ユニポーラトランジスタを含めた電子基礎デバイスの動作原理を学ぶ。さらに、それらを踏まえ、メモリ・光デバイスなどの様々な電子応用デバイスについての知識を深める。
（1）トランジスタの動作原理を理解し、説明できる。
（2）メモリ・光デバイスなどの様々な電子応用デバイスについての知識を深め、説明できる。

＜授業計画及び準備学習＞

第一週 ガイダンス
　　　　　本講義の位置づけ、本講義のねらいや到達目標を理解する　
第二週 半導体工学�Tの復習−１
　　　　　　　半導体中の電子・正孔の電気伝導
　　　　　　　　＜テキスト２・３章＞　
第三週 半導体工学�Tの復習−２
　　　　　　　pn接合ダイオード
　　　　　　　　＜テキスト４章＞
第四週 バイポーラトランジスタ−１
　　　　　　　バイポーラトランジスタの動作原理
　　　　　　　　＜テキスト５章（p.59〜p.65）＞
第五週 バイポーラトランジスター２
　　　　　　　バイポーラトランジスタの接地と応用
　　　　　　　　＜テキスト５章（p.65〜p.74）＞
第六週 ＭＯＳＦＥＴ−１
　　　　　　　ＭＯＳダイオードの動作原理
　　　　　　　　＜テキスト６章（p.75〜p.90）＞
第七週 ＭＯＳＦＥＴ−２
　　　　　　　ＭＯＳＦＥＴの動作原理
　　　　　　　　＜テキスト６章（p.90〜p.104）＞
第八週　５・６章の復習
第九週　センサ・メモリ・記録
　　　　　　　半導体メモリの構成、磁気・光記録
　　　　　　　　＜テキスト７・８章＞
第十週 ディスプレイ
　　　　　　　ブラウン管、液晶、プラズマ、有機ＥＬ
　　　　　　　　＜テキスト９章＞
第十一週 化合物半導体と光デバイス−１
　　　　　　　発光ダイオード、レーザダイオード
　　　　　　　　＜テキスト１０、１２章＞
第十二週　化合物半導体と光デバイス−２
　　　　　　　センサ、太陽電池
　　　　　　　　＜テキスト１０、１２章＞
第十三週 ７〜１０・１２章の復習
第十四週 学習内容の振り返り

＜成績評価方法＞

原則として、授業内試験（７割）とそのほか授業中に課した課題・レポート（３割）の割合にて評価する。

＜教科書＞

「電子デバイスの基礎と応用」長谷川文夫・本田　徹　共著（産業図書）

＜参考書＞

「半導体デバイス-基礎理論とプロセス技術」：S.M. ジィー （産業図書）

＜オフィスアワー＞

金曜日　13：00〜13：40（新宿校舎・弱電実験室）
そのほかの時間を希望する学生は、あらかじめメールでコンタクトをとるように。
メールアドレス：ｃｔ１３３５４＠ns.kogakuin.ac.jp（すべて半角文字）

＜学生へのメッセージ＞

この科目で学ぶ事柄は専門科目の基礎となるので、十分に内容を消化するよう努力すること。