2018年度工学院大学 情報学部情報通信工学科
△電子デバイス工学(Electron Devices)[4H19]
2単位 天澤 敬生 非常勤講師
- <学位授与の方針>
○ | 1. 基礎知識の習得 | ◎ | 2. 専門分野知識の習得 | | 3. 汎用的問題解決技能 | | 4. 道徳的態度と社会性 |
- <授業のねらい>
- 現代社会では、様々な情報処理を行うLSIのほか、LED照明や太陽電池などの電子デバイスが必要不可欠となっている。本授業のねらいは、まず、これらに用いる半導体とは何か、またどのような性質を利用して信号処理や発光・発電などの機能を実現しているかを理解する。さらに、デバイスの構造や製作法の概略を知り、社会ニーズに答えるソフトやシステムを構築するうえで電子デバイスを使いこなすための基礎知識を身につける。
- <受講にあたっての前提条件>
- 大学教養レベルの数学と物理学の習得を前提とするが、授業で用いる基本公式などはその時点でまとめて提示する。
- <具体的な到達目標>
- ・物質の導電性の違いやデバイス動作を説明する手法としてのエネルギーバンドの考え方を理解する。
・半導体中でのキャリア生成と流れの挙動を定量的に理解する。 ・半導体デバイスで基本となるpn接合の作用を理解する。 ・具体的デバイスとして、トランジスタ、MOSFET、各種LSI、LED、レーザ、太陽電池のほか、電子応用機器としてディスプレイや記憶機器を取り上げ、動作原理と構造、製法を理解する。
- <授業計画及び準備学習>
- 第 1週 情報・通信と電子デバイス
電子デバイスとは何か、現代社会での位置づけと歴史、信号・情報処理 の概要を知る。 [準備学習] 第1章 情報・通信と電子デバイス (p.3-10) 第 2週 固体のエネルギーバンド エネルギーバンドの考え方を、古典論と量子論2つのアプローチから 理解。 [準備学習] 第2章 固体のエネルギーバンドと電子の分布 (p.11-19) 第 3週 半導体中でのキャリア生成 金属・半導体・絶縁体のほか、真性半導体とp型及びn型半導体など、 導電性に差が生じる要因をフェルミ準位とキャリア密度の関係から 理解。 [準備学習] 第2章 固体のエネルギーバンドと電子の分布 (p.19-32) 第 4週 キャリアの流れと電気伝導 デバイス動作の電流を決定する2つの基本方程式:ポアソン及び連続の 方程式を習得し、金属や半導体の電気伝導度が桁違いに異なる現象に ついて、試算・比較して体得する。 [準備学習] 第3章 半導体中での電子、正孔の流れと生成、再結合 (p.33-39) 第 5週 pn接合とショットキー接合 電子デバイスの基本要素であるpn接合とショットキー接合について、 電荷分布とキャリアの流れ及びダイオードの整流作用を理解。 [準備学習] 第4章 pn接合とショットキー接合 (p.41-58) 第 6週 バイポーラ・トランジスタの原理 バイポーラ・トランジスタの構造と動作原理を理解。 [準備学習] 第5章 バイポーラ・トランジスタ (p.59-65) 第 7週 バイポーラ・トランジスタの特性 バイポーラ・トランジスタの特性とパラメータについて理解。 [準備学習] 第5章 バイポーラ・トランジスタ (p.65-74) 第 8週 MOSダイオード MOS構造の原理および基本となるC-V特性を理解。 [準備学習] 第6章 MOSFET (p.75-90) 第 9週 MOSFET FETの構造としきい値電圧等の特性を理解。 [準備学習] 第6章 MOSFET (p.90-104) 第10週 集積回路の構造とプロセス MOSFET及びバイポーラ・トランジスタを用いた各種集積回路の構造と 製作プロセスを理解。 [準備学習] 第13章 集積回路 (p.211-222) 第11週 集積回路の具体例 DRAM、SRAM、フラッシュメモリ、ロジック、MPU (CPU)、 イメージセンサ等の代表的なLSIを知る。 [準備学習] 第7、8、13章 電荷結合デバイスとイメージセンサ、 メモリ・記録、集積回路 (p.107-129, 211-222) 第12週 化合物半導体デバイスと光デバイス 化合物半導体とその特徴を理解し、高周波および光デバイスへの 利用を知る。 [準備学習] 第10〜12章 III-V族化合物半導体、通信用 マイクロ波デバイス、光デバイス (p.169-209) 第13週 電子応用機器 磁気記録や光記録およびディスプレイ等、半導体以外の機能を利用した 主要な電子応用機器を知る。 [準備学習] 第8-9章 メモリ・記録、ディスプレイ (p.129-167) 第14週 学習内容の振り返り 全体の講義内容を復習する。 [準備学習] ノートを整理し、疑問点などについてまとめる。
- <成績評価方法>
- 小テスト・演習(30%)及び定期試験(70%)の結果による。定期試験では、基本概念の理解度のほか、講義で示すキーワードやその応用能力などをチェックする。
- <教科書>
- 「電子デバイスの基礎と応用」長谷川文夫・本田 徹 共著(産業図書)
- <参考書>
- 「半導体デバイス第2版−基礎理論とプロセス技術−」 S.M.ジィー著、南日、川辺、長谷川訳(産業図書)
- <オフィスアワー>
- 授業の後に教場で。それ以外については、事前にメールで連絡を入れることが望ましい (t-amazawa@ttv.ne.jp)。
- <学生へのメッセージ>
- 授業は概ね教科書に沿って進める。毎週、講義のねらいなどをまとめた補足資料(A4)を配付するので、A4ノートに貼り付けて各自の記入内容と合わせて講義録として体系的に整理すること(定期テストで有用)。予習は、教科書を読むだけでは理解困難な部分が多いので、太字で書かれたキーワードと図面に目を通して、何が理解できないかをイメージしておくこと。授業では初歩から分かりやすく講義するので、確実に理解できるよう授業に集中するよう心がけること。また講義を聴いているだけでは身につかないので、手を動かした簡単な計算なども想定する。重要なポイントや理解しにくい点については、当日中に復習しておくこと。受講に当たっては、A4ノート、鉛筆、消しゴム、電卓(望ましくは関数電卓)を持参すること。
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