△半導体工学Ｉ（Semiconductor Engineering I）[5D23]

＜学位授与の方針＞

◎	1. 基礎知識の習得
○	2. 専門分野知識の習得
○	3. 汎用的問題解決技能
	4. 道徳的態度と社会性
	5. 創成能力

＜授業のねらい＞

ダイオード・トランジスタなどの電子デバイス、LED・太陽電池・センサーなどの発光・受光デバイスの材料となる半導体について、基礎事項からデバイス応用までを学ぶ。具体的には下記事柄の習得をめざす。
（1）半導体に関する基本的な用語を理解する。
（2）半導体中の電子，正孔の電気伝導について定量的に理解する。
（3）半導体デバイスの動作原理を理解する。

＜受講にあたっての前提条件＞

本科目は、【III群】専門科目の導入科目となる。

＜具体的な到達目標＞

本講義の履修を通して下記事項ができるようになることをめざす。
（1）半導体に関する基本的な用語を理解し、説明できる。
（2）半導体中の電子，正孔の電気伝導について定量的に理解し、表現できる。
（3）半導体デバイスの動作原理を理解し、説明できる。

＜授業計画及び準備学習＞

第一週 ガイダンス
　　　　　本講義の位置づけ、本講義のねらいや到達目標を理解する
　　　　　　　　＜テキスト１章（p.3〜p.10）＞　
第二週 固体のエネルギーバンド−１
　　　　　　　エネルギーバンドの概念を理解する
　　　　　　　　＜テキスト２章（p.11〜p.15）＞　
第三週 固体のエネルギーバンド−２
　　　　　　　量子力学的な考え方に触れる
　　　　　　　　＜テキスト２章（p.15〜p.19）＞
第四週 固体のエネルギーバンド−３
　　　　　　　金属・半導体・絶縁体のエネルギーバンド構造の違いを理解する
　　　　　　　　＜テキスト２章（p.19〜p.22）＞
第五週 真性半導体とｎ型半導体、ｐ型半導体
　　　　　　　真性半導体とｎ型半導体、ｐ型半導体の違いを理解する
　　　　　　　　＜テキスト２章（p.22〜p.24）＞
第六週 電子、正孔の分布と密度
　　　　　　　真性半導体とｎ型半導体、ｐ型半導体のキャリア密度について考える
　　　　　　　　＜テキスト２章（p.25〜p.32）＞
第七週 半導体の電気伝導
　　　　　　　ドリフト電流と拡散電流を理解する
　　　　　　　　＜テキスト３章（p.33〜p.40）＞
第八週 pn接合
　　　　　　　pn接合をエネルギーバンド図を用いて考える
　　　　　　　　＜テキスト４章（p.41〜p.49）＞
第九週 ショットキー接合
　　　　　　　ショットキー接合をエネルギーバンド図を用いて考える
　　　　　　　　＜テキスト４章（p.41〜p.49）＞
第十週 ダイオードの電流-電圧特性−１
　　　　　　　少数キャリアの振る舞いを理解する
　　　　　　　　＜テキスト４章（p.49〜p.54）＞
第十一週 ダイオードの電流-電圧特性−２
　　　　　　　電流−電圧特性を理解する
　　　　　　　　＜テキスト４章（p.54〜p.58）＞
第十二週 バイポーラトランジスタ
　　　　　　　バイポーラトランジスタの動作原理に触れる
　　　　　　　　＜テキスト５章＞
第十三週 MOSFET
　　　　　　　MOSFETの動作原理に触れる
　　　　　　　　＜テキスト６章＞
第十四週 学習内容の振り返り

＜成績評価方法＞

原則として、定期試験（７割）と授業内実施の確認テスト・課題およびレポート（３割）として評価する。

＜教科書＞

「電子デバイスの基礎と応用」長谷川文夫・本田　徹　共著（産業図書）

＜参考書＞

「半導体デバイス-基礎理論とプロセス技術」：S.M. ジィー （産業図書）

＜オフィスアワー＞

金曜日　13：00〜15：00（八王子校舎・5号館804号室）
そのほかの時間を希望する学生は、あらかじめメールでコンタクトをとるように。
メールアドレス：ｃｔ１３３５４＠ns.kogakuin.ac.jp

＜学生へのメッセージ＞

この科目で学ぶ事柄は専門科目の基礎となるので、十分に内容を消化するよう努力すること。