電子デバイス工学ＩＩ（Electron Devices II）[4H14]

＜授業のねらい＞

電子デバイスはIT社会を担う基本素子である。本講義では電子デバイス工学-Iに続いて、撮像デバイスに使われているCCD、USB メモリやデジカメのSD Cardに使われているフラッシュメモリ、磁気を使ったHDD (Hard Disc Drive)、レーザ光を読み出しや書き込みに使うCD、DVD、マンマシーンインターフェースである液晶ディスプレイ、通信に使われているHEMTやHBTなどの電子デバイス、光ファイバー通信用レーザ・ダイオード、発光ダイオード、これらのデバイスに不可欠なIII-V族化合物半導体、更に太陽電池の原理、集積回路の概念と構造などについて学ぶ。

＜受講にあたっての前提条件＞

授業は教科書に沿って行われます。授業計画に書かれている部分の予習復習を前提としています。

＜具体的な到達目標＞

授業計画に書かれているキーワードについて、言葉で説明できる程度に理解することが目標です。

＜授業計画及び準備学習＞

準備学習について：
　教科書の内容に沿って講義を行うので、毎週の講義に対応する箇所をよく読んで、講義の予習・復習に当てること。

第1週　ガイダンス、電子デバイス工学-Iの復習
　バンド図の描き方
第2週　MOSFET（電界効果トランジスタ）- I
　MOSダイオード、蓄積、空乏、反転
第3週　MOSFET - II
　MOSFETの構造と動作原理、エンハンスメント型、
　ディプレッション型、相互コンダクタンス
第4週　電荷結合デバイス（CCD）
　CCDの構造と動作、界面準位と埋め込みチャンネル
第5週　撮像デバイス（イメージ・センサ）
　CCDイメージ・センサの作り方と構成
　CMOSイメージ・センサとの比較
第6週　メモリ：MOSメモリ
　メモリの構成、DRAM, SRAM, ROM, 不揮発性メモリ
第7週　メモリ：磁気記録と光記録
　動作原理、テープレコーダ、HDD
　CD、DVD（追記型、書き換え可能型）
第8週　ディスプレイ + 中間試験
　LCD（Liquid Crystal Display）
第9週　III-V族化合物半導体
　特徴、バンド構造、混晶半導体、ヘテロ接合
第10週　通信用マイクロ波デバイス
　ヘテロ接合バイポーラ・トランジスタ
　変調ドープFET
第11週　光デバイスI
　発光遷移と光吸収、発光ダイオード
第12週　光デバイスII
　レーザ・ダイオード、光検出器、太陽電池
第13週　集積回路(IC)の概念と構成
第14週　期末試験
第15週　学習内容の振り返り

＜成績評価方法＞

中間テストと演習・レポート課題（20-40％）及び期末テスト（60-80％）の結果による。テストでは、授業計画に書かれているキーワードについて、言葉で説明できるレベルの理解をチェックする。テストでは教科書、ノートの持ち込み不可。

＜教科書＞

「電子デバイスの基礎と応用」長谷川文夫・本田　徹　共著（産業図書：3024円）

＜参考書＞

「半導体デバイス第2版--基礎理論とプロセス技術--」　S.M.ジー著、南日、川辺、長谷川訳（産業図書：7128円）

＜オフィスアワー＞

毎週木曜の１６：００〜１７：００間、新宿校舎Ａ２１６８室にて。
八王子校舎での面会を希望する場合には、毎週水曜１６：００〜１７：００の間、４号館７０５室にて。

＜学生へのメッセージ＞

説明やプレゼンテーション（ppt）内容が分からなければその場で説明を求めたり、気軽に質問して下さい。質問がない場合は指名してこちらから質問します。