電子デバイス工学ＩＩ（Electron Devices II）[3A10]

＜授業のねらい及び具体的な達成目標＞

電子デバイスはIT社会を担う基本素子である。本講義では電子デバイス工学-Iに続いて、撮像デバイスに使われているCCD、USB メモリやデジカメのSD Cardに使われているフラッシュメモリ、磁気を使ったHDD (Hard Disc Drive)、レーザ光を読み出しや書き込みに使うCD、DVD、マンマシーンインターフェースである液晶ディスプレイ、通信に使われているHEMTやHBTなどのマイクロ波デバイス、光ファイバー通信用レーザ・ダイオード、発光ダイオード、これらのデバイスに不可欠なIII-V族化合物半導体、更に太陽電池の原理、集積回路の概念と構造などについて学ぶ。

＜授業計画及び準備学習＞

準備学習について：
　教科書の内容に沿って講義を行うので、毎週の講義に対応する箇所をよく読んで、講義の予習・復習に当てること。

第1週　電子デバイス工学-Iの復習
第2週　電界効果トランジスタ（FET）および電荷結合デバイス（CCD）
　MOS構造・トランジスタ、CCDの構造と動作、Deep Depletion、界面準位と埋め込みチャンネル
第3週　撮像デバイス（イメージセンサー）
　CCDイメージセンサーの作り方と構成、
　CMOSイメージセンサーとの比較
第４週　メモリ：MOSメモリ
　メモリの構成、DRAM, SRAM, ROM, 不揮発性メモリ
第５週　メモリ：磁気記録と光記録
　動作原理、テープレコーダ、HDD、
　CD、DVD（追記型、書き換え可能型）
第6週　ディスプレイ-I
　ディスプレイの種類；CRT（陰極線管・ブラウン管）、LCD、PDP、有機EL
第7週　ディスプレイ-II --- LCD（Liquid Crystal Display）
　動作原理、モジュールの構造、液晶とは、分子と光の相互作用。
第8週　ディスプレイ-III --- PDP、有機EL
　動作原理、構造と作り方
第9週　マイクロ波の基礎知識 + 中間試験
　dB表示、特性インピーダンス、
第10週　III-V族化合物半導体
　特徴、バンド構造、混晶半導体、ヘテロ接合
第11週　ヘテロ接合を用いたマイクロ波デバイス
　ヘテロ接合バイポーラ・トランジスタ
　変調ドープFET
第12週　光デバイスI
　発光遷移と光吸収、発光ダイオード
第13週　光デバイスII
　レーザ・ダイオード、光検出器、太陽電池
第14週　集積回路(IC)の概念と構成
第15週　期末試験

＜成績評価方法及び水準＞

中間テストと演習・レポート課題（20-40％）及び期末テスト（60-80％）の結果による。テストでは教科書、ノートの持ち込み不可。BとC、CとDの境界については、出席点を考慮する。

＜教科書＞

「電子デバイスの基礎と応用」長谷川文夫・本田　徹　共著（産業図書：2940円）

＜参考書＞

「半導体デバイス第2版--基礎理論とプロセス技術--」　S.M.ジー著、南日、川辺、長谷川訳（産業図書：6600円）

＜オフィスアワー＞

　講義後、教授室(5号棟803号室）で。

＜学生へのメッセージ＞

説明やプレゼンテーション（ppt）内容が分からなければその場で説明を求めたり、気軽に質問して下さい。質問がない場合は指名してこちらから質問します。

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