2010年度工学院大学 第1部 *電子工学科
△半導体デバイス工学I(Semiconductor Device Engineering I)[1D73]
2単位 長谷川 文夫 非常勤講師
- <授業のねらい及び具体的な達成目標>
- 電子デバイスはIT社会を担う基本素子である。本講義では電子デバイス工学-Iに続いて、撮像デバイスに使われているCCD、USB メモリやデジカメのSD cardに使われているフラッシュメモリ、磁気を使ったHDD (Hard Disc Drive)、レーザ光を読み出しや書き込みに使うCD、DVD、 マンマシーンインターフェースである液晶ディスプレイ、通信に使われているHEMTやHBTなどのマイクロ波デバイス、光ファイバー通信用レーザ・ダイオード、発光ダイオード、これらのデバイスに不可欠なIII-V族化合物半導体、更に太陽電池の原理、集積回路の概念と構造ついて学ぶ。
- <授業計画及び準備学習>
- 第1週 電子デバイス工学-Iの復習
第2週 電荷結合デバイス(CCD) Deep Depletion、構造と動作、界面準位と埋め込みチャンネル 第3週 撮像デバイス(イメージセンサー) CCDイメージセンサーの作り方と構成、 CMOSイメージセンサーとの比較 第4週 メモリ:MOSメモリ メモリの構成、DRAM, SRAM, ROM, 不揮発性メモリ 第5週 メモリ:磁気記録と光記録 動作原理、テープレコーダ、HDD、 CD、DVD(追記型、書き換え可能型) 第6週 ディスプレイ-I ディスプレイの種類;CRT(ブラウン管)、LCD、PDP、有機EL 第7週 ディスプレイ-II --- LCD(Liquid Crystal Display) 動作原理、モジュールの構造、液晶とは、分子と光の相互作用。 第8週 ディスプレイ-III --- PDP、有機EL 動作原理、構造と作り方 第9週 マイクロ波の基礎知識 + 中間試験 dB表示、特性インピーダンス、 第10週 III-V族化合物半導体 特徴、バンド構造、混晶半導体、ヘテロ接合 第11週 ヘテロ接合を用いたマイクロ波デバイス ヘテロ接合バイポーラ・トランジスタ 変調ドープFET 第12週 光デバイスI 発光遷移と光吸収、発光ダイオード 第13週 光デバイスII レーザ・ダイオード、光検出器、太陽電池 第14週 集積回路(IC)の概念と構成 第15週 期末試験
- <成績評価方法及び水準>
- 中間(40%)及び期末テスト(60%)の結果による。試験では教科書、ノートの持ち込み不可。BとC、CとDの境界については、出席点を考慮する。
- <教科書>
- これらのまとまった教科書はないので、資料を配布する。
- <参考書>
- 「半導体デバイス第2版--基礎理論とプロセス技術--」 S.M.ジー著、南日、川辺、長谷川訳(産業図書;6600円)。
- <オフィスアワー>
- 講義後講師室で。
- <学生へのメッセージ>
- 説明やpptが分からなければその場で説明を求め、質問すること。質問がない場合は指名してこちらから質問する。
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