半導体デバイス工学（Semiconductor Device Engineering）[6G73]

＜授業のねらい及び具体的な達成目標＞

エレクトロニクスや電気工学分野で半導体デバイスが使われている。ここでは、その基礎となる理論と応用をシリコン結晶を中心に説明する。

＜授業計画及び準備学習＞

　１．この科目で頻繁に使用する数学の準備
　２．静電気学の基礎についてポアッソンの式までの復習
　３．Ｘ線と結晶構造
　４．自由電子の持つ波の性質（ド・ブロイの仮説）
　５．井戸型ポテンシャルに閉じ込められた電子の性質
　６．電子の状態密度
　７．周期ポテンシャル中の電子
　８．電子の有効（実効）質量
　９．フェルミ分布
１０．真性シリコン半導体
１１．不純物シリコン半導体、ドナーとアクセプター
１２．ドナーとアクセプターのイオン化エネルギー
１３．ｐｎ接合
１４．バイポーラー型トランジスター
１５．試験

＜成績評価方法及び水準＞

成績評価は試験とレポートにより決定する。試験は６割の６０点、レポートは４割の４０点の合計１００点満点で成績評価を行う。

＜教科書＞

特に指定しない。

＜参考書＞

斎藤博他　　　固体物性（共立出版）
中澤叡一郎他　わかる電子物性（日新出版）

＜オフィスアワー＞

授業当日、授業の開始時間前

＜学生へのメッセージ＞

最初と２回目の授業は必ず出席すること。これに出席しなければ、後の授業内容の理解が困難となる。

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