△半導体デバイス工学Ｉ（Semiconductor Device Engineering I）[1B21]

＜授業のねらい及び具体的な達成目標＞

　電子デバイスはIT社会を担う基本素子である。本講義では電子デバイス工学Iに続いて、撮像デバイスに使われているCCD、USB メモリやデジカメのSD cardに使われているフラッシュメモリ、磁気を使ったHDD(Hard Disc Drive), マンマシーンインターフェースである液晶ディスプレイ、およびそこに使われているTFT、通信に使われているHEMTやHBTなどのマイクロ波デバイス、光ファイバー通信用レーザ・ダイオード、発光ダイオード、更に太陽電池の原理、集積回路の概念と構造ついて学ぶ。

＜授業計画及び準備学習＞

第1週　MOS diode、MOSFETの復習とCMOS
第2週　電荷結合デバイス（CCD）
　Deep Depletion、構造と動作、界面準位と埋め込みチャンネル
第3週　撮像デバイス（イメージセンサー）
　CCDイメージセンサーの作り方と構成、
　CMOSイメージセンサーとの比較
第４週　メモリ：MOSメモリ
　メモリの構成、DRAM, SRAM, ROM, 不揮発性メモリ
第５週　メモリ：磁気記録と光記録
　動作原理、テープレコーダ、HDD、
　CD、DVD（追記型、書き換え可能型）
第６週　通信用マイクロ波デバイスI
　マイクロ波の基礎知識；dB表示、特性インピーダンス、
　インピーダンス整合
第７週　通信用マイクロ波デバイスII
　マイクロ波デバイス、通信用レーザに使われる
　III-V族化合物半導体。
第８週　通信用マイクロ波デバイスIII
　ヘテロ接合を使ったマイクロ波デバイス；
　2次元電子ガスを使ったFET、ヘテロバイポーラトランジスタ
第9週　中間試験と授業
　授業； TFT(Thin Film Transistor)とSOI(Silicon On Insulator)
第10週　ディスプレイ
　ディスプレイの種類；CRT（ブラウン管）、LCD、PDP、有機EL
第11週　LCD（液晶ディスプレイ）
　動作原理、モジュールの構造、液晶とは、分子と光の相互作用
第12週　光デバイスI
　発光遷移と光吸収、発光ダイオード
第13週　光デバイスII
　レーザ・ダイオード、光検出器、太陽電池
第14週　集積回路(IC)の概念と構成
第15週　期末試験

＜成績評価方法及び水準＞

中間（40％）及び期末テスト（60％）の結果による。試験では教科書、ノートの持ち込み不可。BとC、CとDの境界については、出席点を考慮する。

＜教科書＞

これらのまとまった教科書はないので、資料を配布する。

＜参考書＞

「半導体デバイス第2版--基礎理論とプロセス技術--」　S.M.ジー著、南日、川辺、長谷川訳（産業図書；6600円）。

＜オフィスアワー＞

講義後講師室で。

＜学生へのメッセージ＞

説明やOHPが分からなければその場で説明を求め、質問すること。質問がない場合は指名してこちらから質問する。

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