2008年度工学院大学 第1部情報通信工学科
電子デバイス工学II(Electron Devices II)[1D11]
2単位 長谷川 文夫 非常勤講師
- <授業のねらい及び具体的な達成目標>
- 電子デバイスは IT 社会を担う基本素子である。本講義では電子デバイス工学 I に続いて、撮像デバイスに使われている CCD、USB メモリやデジカメの SD cardに使われているフラッシュメモリ、磁気を使ったHDD (Hard Disc Drive), マンマシーンインターフェースである液晶ディスプレイ、およびそこに使われているTFT、通信に使われているHEMTやHBTなどのマイクロ波デバイス、光ファイバー通信用レーザ・ダイオード、発光ダイオード、更に太陽電池の原理、集積回路の概念と構造ついて学ぶ。
- <授業計画>
- 第1週 MOS diodeの応用;CCDと撮像デバイスI
信号電荷の蓄積と転送。 第2週 MOS diodeの応用;CCDと撮像デバイスII 作り方と構成 第3週 液晶ディスプレィ(LCD)とTFT(薄膜トランジスタ) 第4週 メモリ:MOSメモリ メモリの構成、DRAM, SRAM, ROM, 不揮発性メモリ 第5週 メモリ:磁気記録と光記録 第6週 通信用マイクロ波デバイスI マイクロ波の基礎知識;dB表示、特性インピーダンス、インピーダンス整合 第7週 通信用マイクロ波デバイスII マイクロ波デバイス、通信用レーザに使われるIII-V族化合物半導体。 第8週 通信用マイクロ波デバイスIII ヘテロ接合を使ったマイクロ波デバイス;2次元電子ガスを使ったFET、ヘテロバイポーラトランジスタ 第9週 光デバイスI 発光遷移と光吸収、発光ダイオード 第10週 光デバイスII 通信用レーザ・ダイオード 第11週 光デバイスIII 光検出器と太陽電池 第12週 集積回路(IC)の概念と構成 第13週 集積回路(IC)の作り方:酸化膜の形成、フォトリソグラフィ、他
- <成績評価方法及び水準>
- 中間及び期末テストの結果による。BとC、CとDの境界については、出席点を考慮する。
- <教科書>
- これらのまとまった教科書はないので、資料を配布する。
- <参考書>
- 「半導体デバイス第2版--基礎理論とプロセス技術--」 S.M.ジー著、南日、川辺、長谷川訳(産業図書;6600円)
- <オフィスアワー>
- 講義後講師室で。
- <学生へのメッセージ>
- 説明やOHPが分からなければその場で説明を求め、質問すること。質問がない場合は時々こちらから質問する。
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