2008年度工学院大学 第1部情報通信工学科

電子デバイス工学II(Electron Devices II)[1D11]

試験情報を見る] [授業を振り返ってのコメント(学内限定)

2単位
長谷川 文夫 非常勤講師

最終更新日 : 2009/11/04

<授業のねらい及び具体的な達成目標>
電子デバイスは IT 社会を担う基本素子である。本講義では電子デバイス工学 I に続いて、撮像デバイスに使われている CCD、USB メモリやデジカメの SD cardに使われているフラッシュメモリ、磁気を使ったHDD (Hard Disc Drive), マンマシーンインターフェースである液晶ディスプレイ、およびそこに使われているTFT、通信に使われているHEMTやHBTなどのマイクロ波デバイス、光ファイバー通信用レーザ・ダイオード、発光ダイオード、更に太陽電池の原理、集積回路の概念と構造ついて学ぶ。

<授業計画>
第1週 MOS diodeの応用;CCDと撮像デバイスI
 信号電荷の蓄積と転送。
第2週 MOS diodeの応用;CCDと撮像デバイスII
 作り方と構成
第3週 液晶ディスプレィ(LCD)とTFT(薄膜トランジスタ)
第4週 メモリ:MOSメモリ
 メモリの構成、DRAM, SRAM, ROM, 不揮発性メモリ
第5週 メモリ:磁気記録と光記録
第6週 通信用マイクロ波デバイスI
 マイクロ波の基礎知識;dB表示、特性インピーダンス、インピーダンス整合
第7週 通信用マイクロ波デバイスII
 マイクロ波デバイス、通信用レーザに使われるIII-V族化合物半導体。
第8週 通信用マイクロ波デバイスIII
 ヘテロ接合を使ったマイクロ波デバイス;2次元電子ガスを使ったFET、ヘテロバイポーラトランジスタ
第9週 光デバイスI
 発光遷移と光吸収、発光ダイオード
第10週 光デバイスII
 通信用レーザ・ダイオード
第11週 光デバイスIII
 光検出器と太陽電池
第12週 集積回路(IC)の概念と構成
第13週 集積回路(IC)の作り方:酸化膜の形成、フォトリソグラフィ、他

<成績評価方法及び水準>
中間及び期末テストの結果による。BとC、CとDの境界については、出席点を考慮する。

<教科書>
これらのまとまった教科書はないので、資料を配布する。

<参考書>
「半導体デバイス第2版--基礎理論とプロセス技術--」 S.M.ジー著、南日、川辺、長谷川訳(産業図書;6600円)

<オフィスアワー>
講義後講師室で。

<学生へのメッセージ>
説明やOHPが分からなければその場で説明を求め、質問すること。質問がない場合は時々こちらから質問する。

 

このページの著作権は学校法人工学院大学が有しています。
Copyright(c)2008 Kogakuin University. All Rights Reserved.