電子材料プロセス工学（Fundamentals of Integrated Device Technology）[1D10]

＜授業のねらい及び具体的な達成目標＞

　高度情報化社会のハードの部分を支えているのは集積回路(IC)である。ICはまさにプロセス技術の固まりである。且つ最近の集積化技術は、半導体のプロセスと言うよりも、銅を使った配線や、低誘電体膜、高誘電体膜など、半導体以外の電子材料のプロセスになっていると言っても過言ではない。
　ここでは、結晶成長からダマシン（象嵌）プロセスまで集積化プロセスの総てについて学ぶ。

＜授業計画＞

1。結晶成長とエピタキシーI --- 教科書10.1
　　半導体デバイスの作製プロセス、融液からの結晶成長。
2。結晶成長とエピタキシーII --- 教科書10.2 - 10.4
　　浮遊ゾーン（FZ）法、GaAsの結晶成長、材料評価。
3．結晶成長とエピタキシーIII --- 教科書10.5 - 10.6
　　エピタキシャル結晶成長、構造と欠陥
4。結晶成長とエピタキシーIV --- 教科書10.5.2
　　分子線エピタキシィ（MBE）、気体運動論の基礎、真空ホンプの色々、
　　平均自由行程、吸着速度、等。
5。酸化および薄膜の堆積- -- 教科書11.1-11.2
　　熱酸化、絶縁膜の堆積。
6．薄膜の堆積- -- 教科書11.2.2 - 11.3
　　Si3N4膜の堆積、ポリSiの堆積。
7。メタライゼーション（金属電極の形成） --- 教科書11.4
　　Al、Cu電極の形成、化学機械研磨法、シリサイドの形成。
8。リソグラフィとエッチングI--- 教科書12.1
　　光学的リソグラフィ、クリーンルーム、露光法、フォトレジスト。
9。リソグラフィとエッチングII--- 教科書12.2 -12.4
　　次世代のリソグラフィ、湿式化学エッチング、乾式エッチング。
10．不純物ドーピングI --- 教科書13.1　- 13.3
　　基本拡散過程、外因性拡散、拡散関連過程
11．不純物ドーピングII --- 教科書13.4 - 13.5
　　注入イオンの飛程、注入による損傷とアニール、注入イオン関連過程
12．集積デバイスI --- 教科書14.1 - 14.2
　　ICの概念、受動素子、バイポーラ技術、MOSFET　技術
13．集積デバイスII --- 教科書14.3
　　MOSFET技術、MESFET技術、
　　マイクロエレクトロニクスへの挑戦。

＜成績評価方法及び水準＞

期末テストの結果による。BとC、 C と D の境界については欠席回数を得点から差し引く。下から１〜２割の学生は D とする。

＜オフィスアワー＞

授業の前後、12階の講師室で

＜学生へのメッセージ＞

説明やOHP（主に教科書の図）が分からなければその場で質問すること。
質問がない場合は時々こちらから質問する。

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