△電子デバイス工学基礎ＩＩ（Introduction to Electron Device Physics II）[6D04]

＜授業のねらい及び具体的な達成目標＞

・現代の「米」と呼ばれ、エレクトロニクス社会を支える半導体について基礎的な理解を得る。
・電子の「エネルギーバンド」という概念に基づき、半導体デバイスの動作が理解できることを知る。（光デバイスとバイポーラおよびMOSトランジスタ）。
・半導体デバイス、集積回路の実構造、実際の製造プロセスの概略を知る。
・当たらずとも遠からずの判断ができるようになる（電子の気持ちがわかる）。
・必要なときに詳細（具体的情報）を調べるための基礎力をつける。

＜授業計画＞

(1) エネルギーバンドとバンドギャップはどのような仕組みで出来るのか
(2) PN接合の構造と動作
(3) PN接合のスイッチング特性
(4) PN接合の破壊　ツェナーダイオード
(5) MOSFETの構造と動作原理（導電率をコントロールするスイッチ）
(6) MOSFETの電気特性
(7) バイポーラトランジスタの構造と動作原理
(8) バイポーラトランジスタの電気特性
(9) 光デバイス（PN接合のもう二つの働き、太陽電池とLED）
(10) 光デバイス CCD 半導体レーザー
(11) 実際の半導体デバイス
(12) デバイス製造プロセス
(13) 集積回路　スケーリング
(14) 予備

＜成績評価方法及び水準＞

毎回授業の最後に演習を行う。そこで提出してもらうレポートを概ね５段階に評価しそれを集計して最終成績とする。期末試験は実施しない予定である。

＜教科書＞

特に定めないが参考書(1)(2)、特に(1)を中心に講義する。

＜参考書＞

(1)絵から学ぶ半導体デバイス工学　谷口　宇野　（昭晃堂）
(2)わかる電子物性　中澤　江良　（日新出版）
(3)半導体工学　川邊潮　斎藤忠　（丸善）（製造プロセスが詳しい）
(4)電子物性基礎　電気学会　（オーム社）

＜オフィスアワー＞

授業終了後１５分程度

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